Intel expuso sus logros hasta la fecha, que le permitirán cumplir la Ley de Moore y realizar procesadores con 1 billón de transistores en 2030. Los avances de la investigación se mostraron durante la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) para celebrar los 75 años del transistor.

El Grupo de Investigación de Componentes de Intel ha desarrollado muchas tecnologías en los últimos 20 años, como el silicio tenso, la puerta metálica Hi-K y FinFET. La hoja de ruta actual incluye otras innovaciones importantes, como RibbonFET gate-all-around (GAA) y la fuente de alimentación PowerVia, así como avances, como EMIB y Foveros Direct. Durante la presentación se demostraron cuatro nuevas innovaciones que permitirán alcanzar el billón de transistores en un solo chip.

Llegar al billón en tan solo siete años

Los nuevos materiales 2D de 3 átomos de grosor permiten crear nanoplacas apiladas con alta velocidad de conmutación a temperatura ambiente y bajas fugas de corriente. La nueva tecnología de encapsulado de unión híbrida 3D para la integración de chips ofrece una mejora de la densidad hasta 10 veces superior a las conexiones de los chips monolíticos.

Por último, Intel mostró las primeras memorias F-RAM con condensadores ferroeléctricos que pueden colocarse verticalmente sobre los transistores. La empresa californiana también ilustró los avances en eficiencia energética con obleas de GaN sobre silicio de 300 milímetros y transistores que conservan los datos incluso en ausencia de alimentación.